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真空燒結爐生產所運用的技術有哪些?
發布時間:2017-09-12   瀏覽:4031次

  真空燒結爐是我公司工程技術人員消化和吸收國內外*的測溫、控溫技術、智能化、新材料技術和爐膛設計技術,推出的一項特別適合硬質合金行業和陶瓷行業的高性能智能化電爐。 它是一種間歇式高真空爐,按照燒結工藝時間的需要可以單套電源配置多臺電爐,分別對單個爐子進行通電升溫和斷電降溫,實現連續工作。

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  用途:應用于硬質合金、銅鎢合金、鎢、鉬、鋁鎳鈷永磁、SmCo5、Sm2Co17及釹鐵硼、鈦合金等合金材料、陶瓷的真空燒結。

  特點:2400℃以內超高溫爐體,可完全滿足各種材料的燒結。采用數顯化智能控溫系統,全自動高精度完成測溫控溫過程,系統可按給定升溫曲線升溫,并可貯存二十條共400段不同的工藝加熱曲線。采用內循環純水冷卻系統,數字式流量監控系統;采用高性能中頻接觸器對爐體進行自動轉換; ***的PLC水、電、真空度自動控制和保護系統。

  主要技術參數:

  *使用溫度:1600℃、2000℃、2400℃

  高溫區容積:0.01m3、0.02m3、0.03m3、0.05m3、 0.1m3、 0.15m3、0.2m3 、0.3m3

  爐內工作氣氛:真空

  真空度:6.67X10-3Pa

  溫度均勻度:≤±10℃

  溫度測量:遠紅外線光學測溫,測溫范圍800~2400℃或0~2400℃;測溫精度:0.2~0.75%。

  溫度控制:程序控制和手動控制; 控溫精度:±1℃

  極限升溫速度:200℃/分鐘(空爐,視高溫區容積和爐膛結構而定)

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氣相沉積爐CVD和PVD在性能上有何區別?氣相沉積技術作為現代材料科學領域的重要分支,在微電子、光電子、機械制造等多個領域都有著廣泛的應用。其中,化學氣相沉積(CVD)和物理氣相沉積(PVD)作為兩種主要的薄膜沉積技術,各自具有獨特的性能特點和應用優勢。氣相沉積爐廠家洛陽八佳電氣將從多個維度對CVD和PVD在氣相沉積爐中的性能區別進行深入探討。 一、工作原理與工藝過程CVD技術是通過將氣態或蒸汽態的物質引入反應室,在氣相或氣固界面上發生化學反應生成固態沉積物。這一過程通常在高溫下進行,利用化學反應物在基板表面的流動特性,實現薄膜的均勻、高度保形沉積。而PVD技術則是通過物理方法,如蒸發、濺射等,使固體材料在真空條件下汽化成氣態,進而凝結成薄膜沉積在基材表面。 二、薄膜均勻性與質量控制CVD工藝由于化學反應發生在基板表面,能夠利用氣體的流動特性,在不規則形狀的表面上構建均勻、高度保形的薄膜。這使得CVD在制備復雜形狀和大面積基片的薄膜時具有顯著優勢,能夠實現較好的薄膜均勻性。相比之下,PVD工藝在薄膜均勻性方面可能稍遜一籌,尤其是在處理大面積基片時,可能存在厚度不均勻的情況。 三、生長速率與生產效率CVD工藝具有較高的生長速率,適合大面積薄膜的快速制備。這一特點使得CVD在批量生產中具有顯著優勢,能夠通過規模經濟節省大量成本。而PVD工藝的生長速率相對較慢,更適合小規模生產。然而,隨著技術的不斷進步,PVD工藝的生長速率也在不斷提升,逐漸滿足了更多領域的需求。 四、設備復雜性與維護成本CVD設備結構較為復雜,操作參數眾多,維護成本相對較高。同時,由于CVD過程中涉及高溫和化學反應,對設備的耐高溫和耐腐蝕性能提出了較高要求。相比之下,PVD設備結構相對簡單,操作參數少,易于控制和維護,適合小規模生產。此外,PVD工藝對環境的影響較小,更加環保。 五、應用領域與材料選擇CVD工藝由于能夠實現復雜化合物薄膜的制備,適用于對薄膜均勻性、復雜性和生長速率要求較高的領域,如半導體器件制備、光電子器件等。而PVD工藝則適用于對成本、易操作性和中小規模生產需求較為突出的場景,如金屬涂層、裝飾膜等。此外,PVD工藝在制備高純度金屬薄膜方面也具有獨特優勢。 六、總結與展望綜上所述,CVD和PVD在氣相沉積爐中的性能存在顯著區別。CVD工藝在薄膜均勻性、生長速率和復雜化合物薄膜制備方面具有優勢,適用于大規模生產和高端應用領域;而PVD工藝在設備簡單性、成本控制和環保方面具有優勢,適用于中小規模生產和特定應用場景。展望未來,隨著科技的不斷進步和產業需求的不斷變化,CVD和PVD技術將不斷發展和完善。通過技術創新和工藝優化,這兩種技術有望在更多領域發揮重要作用,推動相關產業的持續發展。